Pat

J-GLOBAL ID：200903003891757039

アルミニウム配線の加工方法

Inventor： 小沼 利光 ,  山崎 舜平 ,  竹村 保彦
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994315632
Publication number (International publication number)：1996153728
Application date： Nov. 25, 1994
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 アルミニウムの表面に、該アルミニウムを陽極酸化することによって形成されたバリヤ型陽極酸化物を選択的にエッチングする方法を提供する。【構成】 フッ化ハロゲン(例えば、ClF3 、ClF、BrF3 、BrF)を含む雰囲気中に陽極酸化物をさらすことによって、陽極酸化物のガスエッチングをおこなう。エッチングはアルミニウム表面が露出した時点で終了し、アルミニウム表面には薄いフッ化アルミニウム層が形成されるが、これは水洗することにより除去できる。以上の方法により、オーバーエッチングすることなく、金属アルミニウム表面が得られる。

Claim (excerpt)：

基板上に95%以上の純度の薄膜状のアルミニウム配線を形成する工程と、前記基板を電解溶液に浸し、前記アルミニウム配線に電流を通じることにより、前記アルミニウム配線の少なくとも上面にバリヤ型の陽極酸化物被膜を形成する工程と、フォトリソグラフィー工程により、前記アルミニウム配線上にフォトレジストのマスクを形成する工程と、基板をフッ化ハロゲンを有する雰囲気に置くことにより、前記陽極酸化物被膜を選択的にエッチングする工程と、前期工程においてアルミニウム表面に形成されたフッ化アルミニウム層を、水洗することにより除去する工程と、を有することを特徴とするアルミニウム配線の加工方法

IPC (4)：

H01L 21/3213 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/88 C ,  H01L 21/88 N

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開平3-272135
  
• 特開平3-136240
  
• 特開昭60-254731
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-334969   Applicant：株式会社東芝