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J-GLOBAL ID：200903003894644928

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 亀井 誠司
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993122074
Publication number (International publication number)：1994310610
Application date： Apr. 27, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高集積化に対応可能な配線用層間絶縁膜を形成できる半導体装置の製造方法を実現し、歩留り、信頼性を向上させる。【構成】 第1の金属配線102上に、少なくとも1層の絶縁膜103〜105を前記第1の金属配線層102よりも厚く堆積する工程と、最上部の前記絶縁膜105表面を平坦化する工程と、前記平坦化された表面から、前記第1の金属配線102に至る開口部106を形成する工程と、前記開口部106の側壁に保護膜107を形成する工程と、前記開口部106に第2の金属配線108を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

第1の金属配線上に、少なくとも1層の絶縁膜を前記第1の金属配線層よりも厚く堆積する工程と、最上部の前記絶縁膜表面を平坦化する工程と、前記平坦化された表面から、前記第1の金属配線に至る開口部を形成する工程と、前記開口部の側壁に保護膜を形成する工程と、前記開口部に第2の金属配線を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/316