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J-GLOBAL ID：200903003898880634

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 松村 和彦 ,  長尾 浩一 ,  金子 英之 ,  中岡 由起子 ,  藤本 博昭
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002098373
Publication number (International publication number)：2003298007
Application date： Apr. 01, 2002
Publication date： Oct. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】 2つの半導体チップが相対した半導体装置の製造方法において、一方の半導体チップの内部電極および外部電極における金属層の形成方法が異なった工程であったために、製造コストが高くなるといった問題があった。【解決手段】 第1の半導体チップの内部電極および外部電極に対して同時に、第1のバンプ24、金属膜29をそれぞれ形成する。

Claim (excerpt)：

第1の半導体チップの内部電極および外部電極に、第1のバンプおよび金属膜をそれぞれ同時に形成する工程と、第2の半導体チップの内部電極に第2のバンプを形成する工程と、前記第1のバンプと前記第2のバンプとを電気的に接続する工程と、前記第1の半導体チップの裏面をダイパッドに接着する工程と、前記第1の半導体チップの外部電極と前記ダイパッドの周囲に形成されたリードとを金属細線により電気的に接続する工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 25/065 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (7)：

H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 25/08 B ,  H01L 21/92 603 D ,  H01L 21/92 603 A ,  H01L 21/92 603 B ,  H01L 21/92 604 B

F-Term (9)：

5F044AA01 ,  5F044EE04 ,  5F044FF04 ,  5F044LL04 ,  5F044LL13 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04 ,  5F044QQ05 ,  5F044RR02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-303294   Applicant：セイコーエプソン株式会社