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J-GLOBAL ID：200903003900164410
プラズマCVD装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
森本 義弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993037682
Publication number (International publication number)：1994252060
Application date： Feb. 26, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：
【要約】【目的】 プラズマCVD装置において、ガス供給条件に関係なく、膜の堆積量の違いを無くし、均一な厚さで膜を堆積する。【構成】 高周波電極3と対向電極(基板トレー)6の間の空間9の外周側に反応ガス供給手段11を配設し、この反応ガス供給手段11の多数の噴出口12から前記空間9の中心部から半径方向に外周に至る範囲に向かって反応ガスを噴出させ、ガス供給条件に関係なく空間9内に反応ガスの均一な旋回流を形成し、対向電極6上の基板8に均一な厚さに膜を堆積する。
Claim (excerpt)：
反応室内に高周波又はマイクロ波が印加される高周波電極とこの高周波電極に対向するアース電位の対向電極とを配設し、高周波電極と対向電極の間でグロー放電させるとともに反応ガスを供給してプラズマを発生するようにしたプラズマCVD装置において、高周波電極と対向電極の間の空間の外周側に、その空間の中心部から半径方向に外周に至る範囲に向けて反応ガスを噴出する多数の噴出口を有する反応ガス供給手段を配設したことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (2)：
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