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J-GLOBAL ID：200903003903513866

半導体デバイスおよびその製造方法

Inventor：
ワン ツェシェン

About ワン ツェシェン

, 
久保田 和芳

About 久保田 和芳

, 
斎藤 信雄

About 斎藤 信雄


Applicant, Patent owner：
株式会社国際電気通信基礎技術研究所

About 株式会社国際電気通信基礎技術研究所


Agent (8)： 鳥居 洋 ,  松山 隆夫 ,  深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004005727
Publication number (International publication number)：2005203441
Application date： Jan. 13, 2004
Publication date： Jul. 28, 2005
Summary：
【課題】 均一な量子ドットを備える半導体デバイスを提供する。【解決手段】 半導体デバイス10は、半導体基板1と、複数の量子ドット2,2,2,・・・とを備える。半導体基板1は、単結晶シリコンからなり、厚さは約300μmである。複数の量子ドット2,2,2,・・・は、結晶相からなり、半導体基板1の一主面1Aに形成される。複数の量子ドット2,2,2,・・・の各々は、シリコンゲルマニウムからなる。そして、各量子ドット2は、直径r及び高さhは、約5nmである。複数の量子ドット2,2,2,・・・は、単結晶シリコンにゲルマニウムイオンをイオン注入して単結晶シリコンの一部をアモルファス化し、そのアモルファス化された領域の複数のポイントに電子ビームを照射して結晶成長される。【選択図】 図1
Claim 1：
結晶相からなる半導体基板の材料と異なる材料からなる複数の量子ドットを前記半導体基板の一主面に形成する半導体デバイスの製造方法であって、 前記半導体基板の構成元素と異なる元素を前記半導体基板にイオン注入して前記半導体基板の一主面側を所定の厚さにわたって非晶質化する第1のステップと、 前記第1のステップにおいて形成された非晶質領域に部分的に電子ビームを照射して前記非晶質領域に結晶相からなる複数の量子ドットを形成する第2のステップと、 前記複数の量子ドット以外の非晶質領域を除去する第3のステップとを含む半導体デバイスの製造方法。
IPC (3)：
H01L29/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265
FI (3)：
H01L29/06 601D ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 Q
F-Term (5)：
5F052AA03 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DA05 ,  5F052JA10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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