Pat

J-GLOBAL ID：200903003907594275

半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 湯浅 貴之 ,  猪口 和彦
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996202347
Publication number (International publication number)：1998051029
Application date： Jul. 31, 1996
Publication date： Feb. 20, 1998
Summary：

【要約】【課題】 成長膜中のC軸〈00・1〉方向に発生する欠陥密度を減少でき、結果的に発光効率が高く、特に半導体レーザ素子として好適な半導体発光素子を提供する。【解決手段】 (11・0)面方位を有するZnO基板11上に、n型GaN12、n型Al0.2Ga0.8N混晶13、In0.1Ga0.9N混晶14及びp型Al0.2Ga0.8N混晶15を、何れの層も基板面に対して平行にC軸〈11・0〉を成長させた構造とする。

Claim (excerpt)：

ウルツ鉱型窒化物半導体を基板上に結晶成長して作製される半導体発光素子であって、結晶成長する該ウルツ鉱型窒化物半導体のC軸〈00・1〉方向が該基板の基板面方向に対して、90°±5°の角度を有する半導体発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/18