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J-GLOBAL ID：200903003911659306

半導体基板の熱処理方法及び熱処理装置

Inventor： 吉越 俊一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994081611
Publication number (International publication number)：1995297201
Application date： Apr. 20, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 薄膜形成その他の熱処理を行うべく半導体基板を加熱する熱処理方法及び熱処理装置について、水分を含む処理ガスをも使用可能とした技術を提供する。【構成】 少なくとも水分を含有する処理ガス6を用いて半導体基板4を熱処理する場合、半導体基板を熱処理する熱処理室10の一部または全部が二重以上の多重管(内管3、外管2等)で構成され、これら多重管壁間隙に加熱用ガス8を導入して、熱処理室を少なくともその内圧において水分が結露しない温度に保ちつつ熱処理を行う。必要により、熱処理室が所定の温度より低い場合、処理ガスを流さないインターロック等を設けた構成とする。

Claim (excerpt)：

少なくとも水分を含有する処理ガスを用いて半導体基板を熱処理する熱処理方法において、半導体基板を熱処理する熱処理室の一部または全部が二重以上の多重管で構成され、これら多重管壁間隙に加熱用ガスを導入して、前記熱処理室を少なくとも前記熱処理室内圧において水分が結露しない温度に保ちつつ熱処理を行うことを特徴とする半導体基板の熱処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (2)：

H01L 21/26 L ,  H01L 21/31 E