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J-GLOBAL ID：200903003911758916

パターン形成方法

Inventor： 小川 太郎 ,  老泉 博昭 ,  伊東 昌昭 ,  斎藤 徳郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996258273
Publication number (International publication number)：1998104848
Application date： Sep. 30, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 表面イメージング法の一つにシリル化プロセスがある。シリル化プロセスでは反応開始点にシリル化剤が重合するとその箇所ではシリル化がそれ以上進行しにくいため、必ずしも充分なシリル化率が得られないという問題があった。【解決手段】 シリル化剤が1つ以上の水酸基、ないしはレジスト膜の露光部に発生した酸によって、水酸基に置換される保護基を1つ以上含んでいることを特徴とする。シリル化剤が水酸基ないしは酸によって水酸基に置換される保護基を含んでいれば、シリル化剤は酸を触媒とするイオン重合反応によってレジスト基底樹脂の水酸基が結合した箇所に加えて、水素が結合した箇所に重合する。【効果】 本発明によれば、レジスト膜表面での吸収が大きい短波長の紫外線を露光源としたリソグラフィにおいて高いシリル化率が得られ、かつ、簡便な表面シリル化プロセスを提供することが可能となる。

Claim (excerpt)：

基板上に光、荷電粒子線等のエネルギー線に対して感光作用を有するレジスト膜を設ける工程、レジスト膜にエネルギー線を露光して感光させる工程、レジスト膜をシリコンを含んだシリル化剤に晒す工程、シリル化処理による露光部と未露光部の耐ドライエッチング性の差異を利用し、ドライエッチングによって所望のレジストパターンを形成する工程からなるパターン形成方法において、該シリル化剤が1つ以上の水酸基、ないしはレジスト膜に含まれる酸によって水酸基に置換される保護基を1つ以上含んでいることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (6)：

G03F 7/38 512 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/36 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (6)：

G03F 7/38 512 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/36 ,  H01L 21/30 579 ,  H01L 21/302 J