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J-GLOBAL ID：200903003913310491

粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサ

Inventor： 上野 巌 ,  生越 洋一 ,  野井 慶一 ,  若畑 康男
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994121190
Publication number (International publication number)：1995326535
Application date： Jun. 02, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 バリスタ特性がさらに向上した粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサを提供することを目的とするものである。【構成】 内部電極2用のペーストとしてNi、またはNi原子を含む化合物に、Li,Na,K原子の内少なくとも一種類以上と、Cu,Mn,Pb,Bi,Co原子の内少なくとも一種類以上とを、固溶させたものを用いた。

Claim (excerpt)：

セラミック体と、このセラミック体に設けた電極とを備え、前記電極は、Ni、またはNiを含む化合物に、Li,Na,K原子の内少なくとも一種類以上と、Cu,Mn,Pb,Bi,Co原子の内少なくとも一種類以上とを固溶させたペーストを出発原料として形成したものよりなる粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサ。

IPC (3)：

H01G 4/12 322 ,  H01G 4/12 361 ,  H01G 4/008