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J-GLOBAL ID：200903003916585025

有機半導体素子の製造方法、有機半導体素子及び有機半導体装置

Inventor：
山手 信一

About 山手 信一


Applicant, Patent owner：
住友化学株式会社

About 住友化学株式会社


Agent (2)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007181167
Publication number (International publication number)：2009021297
Application date： Jul. 10, 2007
Publication date： Jan. 29, 2009
Summary：
【課題】 活性層の電気的特性の低下を防止でき、しかも良好なパターン形状を有するようにパターニングされた活性層を形成することができる有機半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明の有機半導体素子の製造方法は、支持フィルム及び活性層が積層された積層体と、活性層を形成させる素子基板とを、積層体の活性層と素子基板とが接するように貼り合わせる工程と、支持フィルムにおける活性層に対して反対側の面上に、所定のパターン形状を有するマスクを形成する工程と、マスクが形成されていない領域の積層体を除去することにより、活性層をパターニングする工程とを有する。【選択図】 図8
Claim (excerpt)：
有機半導体化合物を含む半導体膜からなる活性層を有する有機半導体素子の製造方法であって、 支持フィルム及び前記活性層が積層された積層体と、前記活性層を形成させる素子基板とを、前記積層体の前記活性層と該素子基板とが接するように貼り合わせる工程と、 前記支持フィルムにおける前記活性層に対して反対側の面上に、所定のパターン形状を有するマスクを形成する工程と、 前記マスクが形成されていない領域の前記積層体を除去することにより、前記活性層をパターニングする工程と、 を有することを特徴とする有機半導体素子の製造方法。
IPC (6)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12
FI (7)：
H01L29/78 627D ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310K ,  H01L29/28 390 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L27/12 B
F-Term (37)：
5F110AA01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ16
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (2)

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