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J-GLOBAL ID：200903003946297474

半導体圧力センサ及びその製造方法

Inventor： 青木 亮 ,  西條 隆司 ,  宮島 久和 ,  江田 和夫
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 西川 惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001145523
Publication number (International publication number)：2002340714
Application date： May. 15, 2001
Publication date： Nov. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】外部圧力に対する感度を向上した半導体圧力センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】ダイアフラム部5が厚み方向に撓み自在に設けられた半導体基板1を備え、応力に応じて抵抗値が変化する拡散ゲージ抵抗2をダイアフラム部5の裏面側に形成する。ダイアフラム部5の撓みによって拡散ゲージ抵抗2に加わる応力を、従来例と比べて大きくすることができ、外部の圧力に対する感度を向上することができる。

Claim (excerpt)：

裏面側に凹所を形成することで薄肉のダイアフラム部が撓み自在に設けられた半導体基板と、ダイアフラム部が撓むことで応力が加えられ、前記応力に応じて抵抗値が変化する抵抗体とを備えて、外部の圧力により生じるダイアフラム部の撓みから前記圧力を検出する半導体圧力センサであって、前記抵抗体をダイアフラム部の裏面側に形成したことを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84

FI (2)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84 B

F-Term (19)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF11 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  2F055GG16 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA04 ,  4M112CA13 ,  4M112DA04 ,  4M112DA12 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112FA01