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J-GLOBAL ID：200903003951118979

高周波回路構造

Inventor： 新井 道郎 ,  亀田 省三郎 ,  松村 健一
Applicant, Patent owner： 株式会社ヨコオ
Agent (1)： 森山 哲夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992086234
Publication number (International publication number)：1993259762
Application date： Mar. 10, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高周波用の電界効果トランジスタ10のソース端子S,Sを、接地用導電体68に高周波的に確実に接地するとともに、直流的に分離する。【構成】 ソース端子S,Sが接続される導電性パターン14,14に対応する位置で、絶縁回路基板12の裏面に導電性パターン60を形成し、これらの双方の導電性パターン14,14と60をスルーホール44,44...で接続する。さらに、裏面の導電性パターン60に薄膜の絶縁フィルム66を介して接地用導電体68を添設する。【効果】 導電性パターン60と接地用導電体68の間に生ずる容量により、ソース端子S,Sが接地用導電体68に高周波的に接続され、しかも直流的に分離される。

Claim (excerpt)：

絶縁回路基板の表面に設けられた表側導電性パターンに端子を載置固定して高周波能動素子を配設し、この表側導電性パターンの位置で前記絶縁回路基板の裏面に裏側導電性パターンを設け、前記表側導電性パターンと裏側導電性パターンをスルーホールで接続し、前記裏側導電性パターンに絶縁フィルムを介して接地用導電体を添設し、前記端子を前記接地用導電体に対して高周波的に接続するとともに直流的に分離するように構成したことを特徴とする高周波回路構造。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-248601
  
• 特開昭63-080606
  
• 特開昭59-174006