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J-GLOBAL ID:200903003954072716

高周波デバイス及び高周波装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001095966
Publication number (International publication number):2002204102
Application date: Mar. 29, 2001
Publication date: Jul. 19, 2002
Summary:
【要約】【課題】 特性に優れたフィルタを実現することができるとともに、スカート特性やリップル特性の変動なしにフィルタの通過周波数を精度よく容易に調整することが可能な高周波デバイスを提供する。【解決手段】 基板11上に形成された超伝導体膜によって構成された複数の共振素子12からなるフィルタ素子と、超伝導体膜が形成された基板表面に略平行に対向し、かつ複数の共振素子及び共振素子間の間隙を覆うように配置された誘電体板16と、誘電体板の上方に配置された圧電部17と、誘電体板と圧電部とを接続し、圧電部の変位に応じて移動可能な接続部材23とを備え、圧電部の変位により接続部材を介して誘電体板を移動させることで、誘電体板の基板との対向面と超伝導体膜が形成された基板表面との間隔が調整可能となるように構成されている。
Claim (excerpt):
基板上に形成された超伝導体膜によって構成された複数の共振素子からなるフィルタ素子と、前記超伝導体膜が形成された基板表面に略平行に対向し、かつ前記複数の共振素子及び共振素子間の間隙を覆うように配置された誘電体板と、前記誘電体板の上方に配置された圧電部と、前記誘電体板と前記圧電部とを接続し、前記圧電部の変位に応じて移動可能な接続部材とを備え、前記圧電部の変位により前記接続部材を介して前記誘電体板を移動させることで、前記誘電体板の前記基板との対向面と前記超伝導体膜が形成された基板表面との間隔が調整可能となるように構成されたことを特徴とする高周波デバイス。
IPC (3):
H01P 1/203 ZAA ,  H01L 41/09 ,  H01P 7/08 ZAA
FI (4):
H01P 1/203 ZAA ,  H01P 7/08 ZAA ,  H01L 41/08 U ,  H01L 41/08 C
F-Term (14):
5J006HB03 ,  5J006HB12 ,  5J006JA01 ,  5J006LA11 ,  5J006MA01 ,  5J006MA13 ,  5J006MB02 ,  5J006MB03 ,  5J006NA08 ,  5J006NB10 ,  5J006NE03 ,  5J006NE11 ,  5J006PA03 ,  5J006PA09
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 特開平4-368006
  • 特開平4-355804

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