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J-GLOBAL ID：200903003956680748

光ビームテスタ

Inventor： 左藤 葉子 ,  若菜 伸一 ,  永井 利明 ,  伊藤 昭夫
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 松本 眞吉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992016455
Publication number (International publication number)：1993218151
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、半導体集積回路やプリント基板上等の信号配線の電圧波形を、電気光学結晶に入射する光の偏光状態の変化に基づいて測定する光ビームテスタに関し、電圧測定精度を向上させることを目的とする。【構成】メモリ64から、光走査装置30による走査に応じて補正データが読み出され、この補正データで可変アンプ50A及び52Aの増幅率が設定され、電気光学結晶板16の印加電圧が0のときには、任意の光走査位置に対し差動アンプ54の出力が0となる。

Claim (excerpt)：

パルスレーザ(26)から出射した偏光パルスを、ビームスプリッタ(28)、光走査装置(30)及び電気光学結晶(16)に順に通した後反射させて該電気光学結晶及び該光走査装置の順に通し、該ビームスプリッタで反射した光を偏光ビームスプリッタ(44)でs偏光成分とp偏光成分に分割し、分割された該s偏光の光強度を第1光検出器(46)で検出して第1増幅器(50)で増幅し、分割された該p偏光の光強度を第2光検出器(48)で検出して第2増幅器(52)で増幅し、増幅された両光強度の差に基づいて該電気光学結晶の対向面間に印加された電圧を測定し、該光走査装置で該偏光パルスを該電気光学結晶上で走査させる光ビームテスタにおいて、該光走査装置と該電気光学結晶との間の光路中にp/s偏光成分交換光学素子(40)を配置し、該p/s偏光成分交換光学素子は、入射光のp偏光成分とs偏光成分の電気ベクトル振動方向を、該p/s偏光成分交換光学素子を透過しその戻り光が再度p/s偏光成分交換光学素子を透過したときに互いに逆にさせることを特徴とする光ビームテスタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平3-244141