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J-GLOBAL ID：200903003958502782

発光素子

Inventor： 鈴木 由佳里 ,  安富 敬三
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 菅原 正倫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001230532
Publication number (International publication number)：2003046125
Application date： Jul. 30, 2001
Publication date： Feb. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】 特定発光波長を得るために所定の組成を有する活性層において、活性層の積層構造を変えることなく、その結晶品質を低下させないヘテロ構造を形成し、活性層の特定波長の発光効率を高めることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 発光層部1は、n型クラッド層2、調整結晶層3、活性層4及びp型クラッド層5が互いに積層されたダブルヘテロ構造を有する。また、活性層4は、井戸層7をバリア層6で挟んだ単一量子井戸構造もしくは多重量子井戸構造とされる。調整結晶層3は、活性層4が有する井戸層7とバリア層6が形成するヘテロ接合界面における格子定数差を縮小させる機能を果たす。

Claim 1：

発光層部が、バリア層と井戸層とを交互に積層した量子井戸構造からなる活性層と、前記活性層にキャリアを注入するためのクラッド層とを有し、さらに、前記活性層と前記クラッド層との間、又は前記クラッド層の内部に、前記クラッド層に最も近い側に位置する前記バリア層に対し、該バリア層に隣接する前記井戸層との格子定数差を縮小する弾性変位を与える調整結晶層が介挿されてなることを特徴とする発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/343 610

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/343 610

F-Term (14)：

5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化ガリウム系化合物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-044550   Applicant：豊田合成株式会社
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-038157   Applicant：株式会社東芝