Pat
J-GLOBAL ID:200903003958806307
水素吸蔵合金電極及びその製造方法
Inventor:
,
,
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
西岡 伸泰
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996330033
Publication number (International publication number):1998168504
Application date: Dec. 10, 1996
Publication date: Jun. 23, 1998
Summary:
【要約】【課題】 水素吸蔵合金の表面にニッケルリッチ層が形成されて、該ニッケルリッチ層の表面を露出させた状態で電池に組み込むことが可能な水素吸蔵合金電極の製造方法を提供する。【解決手段】 ニッケルを含有する水素吸蔵合金の粉末を作製する工程P1と、これによって得られた水素吸蔵合金粉末を200°C〜500°Cのアンモニア雰囲気中に保持して、粒子表面に高温アンモニア処理を施す工程P2と、これによって得られた水素吸蔵合金粉末を導電性基体に充填して電極形状に成形する工程P3とを有している。
Claim (excerpt):
ニッケルを含有する水素吸蔵合金の粉末であって、合金粒子(1)の表層部には、ニッケルリッチ層(4)が形成されると共に、該ニッケルリッチ層(4)の表面を覆って、アンモニアが付着してなる保護層(5)が形成されていることを特徴とする水素吸蔵合金粉末。
IPC (4):
B22F 1/02
, H01M 4/24
, H01M 4/26
, H01M 4/38
FI (4):
B22F 1/02 D
, H01M 4/24 J
, H01M 4/26 J
, H01M 4/38 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
-
活性金属の活性能抑制法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-069523
Applicant:三菱重工業株式会社
Return to Previous Page