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J-GLOBAL ID：200903003962965967
光起電力素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992194022
Publication number (International publication number)：1994045623
Application date： Jul. 21, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 素子内における熱の蓄熱を抑圧し、素子特性の劣化を防止し得る光起電力素子を提供する。【構成】 光電変換機能を呈する半導体接合(6)を備えた半導体(3)及び光入射側電極(7)の表面をそれぞれ凹凸形状とすることによって、光起電力素子の表面積を大きくすることにあり、また光起電力素子の表面積を大きくするものとしてポーラスシリコンを利用することにある。
Claim (excerpt)：
表面に凹凸形状を備えた、光電変換機能を呈する半導体接合を含む半導体から成る光起電力素子であって、上記表面には凹凸形状を有する、良導電性且つ良熱伝導性の金属材料から成る光入射側電極を設けたことを特徴とする光起電力素子。
FI (2)：
H01L 31/04 H
, H01L 31/04 F
