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J-GLOBAL ID：200903003963136166

多結晶シリコン薄膜およびその形成法

Inventor： 山本 憲治
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Agent (1)： 曽々木 太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992312800
Publication number (International publication number)：1994140327
Application date： Oct. 28, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】 形成できる基板の種類に特に制限はなく、しかも安価な基板上に形成できる大粒径の多結晶シリコン薄膜およびその形成法を提供する。【構成】 本発明の多結晶シリコン薄膜3は微結晶シリコンの核2が形成されてなる基板1上に形成されてなるものであり、本発明の多結晶シリコン薄膜3の形成法は、基板1上に微結晶シリコンの核2を生成させたのち、多結晶シリコン薄膜3を形成するものである。

Claim (excerpt)：

微結晶シリコンの核が形成されてなる基板上に成膜されてなることを特徴とする多結晶シリコン薄膜。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 ,  H01L 31/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-260621
  
• 特開平1-248511
  
• 特開平1-276616