Pat
J-GLOBAL ID:200903003966842495
半導体発光素子
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
吉田 茂明
, 吉竹 英俊
, 有田 貴弘
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005253412
Publication number (International publication number):2006270028
Application date: Sep. 01, 2005
Publication date: Oct. 05, 2006
Summary:
【課題】高い微分効率を有する窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子を得る。【解決手段】それぞれが5nmの膜厚を有する2つのInGaNウエル層を有する2重量子井戸構造の活性層を有する半導体レーザにおいて、光閉じ込め係数Γは3.0%以下の領域では、しきい値電流の劣化は比較的小さく、微分効率は大幅に改善(上昇)するという特性を有している。一方、光閉じ込め係数Γが1.5%より小さくなくと、しきい値電流が大幅に増大する一方、微分効率の改善量も小さくなることがわかる。したがって、光閉じ込め係数Γの下限としては、1.5%程度が好ましく、光閉じ込め係数Γを3.0%以下にすると、微分効率は1.6W/A以上得られ、光閉じ込め係数Γを2.6%以下にすることにより、1.7W/A以上の微分効率が得られる。【選択図】図4
Claim (excerpt):
少なくとも2つのウエル層を含む多重量子井戸構造の活性層を有する窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、
前記少なくとも2つのウエル層は少なくとも2つのInGaNウエル層を含み、発光時における素子の全導波光のうち、前記少なくとも2つのInGaNウエル層にある光の割合を示す光閉じ込め係数(%)を1.5以上、3.0以下に設定したことを特徴とする、
半導体発光素子。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (12):
5F173AA08
, 5F173AF03
, 5F173AF35
, 5F173AG12
, 5F173AG20
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AP33
, 5F173AP76
, 5F173AP82
, 5F173AQ04
, 5F173AR23
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (9)
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半導体レーザ素子及び光学式情報記録装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-404507
Applicant:シャープ株式会社
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窒化ガリウム系半導体発光素子、及び半導体レーザ光源装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-052596
Applicant:シャープ株式会社
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特開平2-254784
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光半導体素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-008736
Applicant:株式会社東芝
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半導体レーザ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-324768
Applicant:三井化学株式会社
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窒化ガリウム系半導体レーザ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-333172
Applicant:日本電気株式会社
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発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-369703
Applicant:三洋電機株式会社
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窒化物半導体素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-077386
Applicant:松下電器産業株式会社
-
窒化物半導体素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-140760
Applicant:日亜化学工業株式会社
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Article cited by the Patent:
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