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J-GLOBAL ID：200903003966842495

半導体発光素子

Inventor：
蔵本 恭介

About 蔵本 恭介


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (3)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005253412
Publication number (International publication number)：2006270028
Application date： Sep. 01, 2005
Publication date： Oct. 05, 2006
Summary：
【課題】高い微分効率を有する窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子を得る。【解決手段】それぞれが5nmの膜厚を有する2つのInGaNウエル層を有する2重量子井戸構造の活性層を有する半導体レーザにおいて、光閉じ込め係数Γは3.0%以下の領域では、しきい値電流の劣化は比較的小さく、微分効率は大幅に改善(上昇)するという特性を有している。一方、光閉じ込め係数Γが1.5%より小さくなくと、しきい値電流が大幅に増大する一方、微分効率の改善量も小さくなることがわかる。したがって、光閉じ込め係数Γの下限としては、1.5%程度が好ましく、光閉じ込め係数Γを3.0%以下にすると、微分効率は1.6W/A以上得られ、光閉じ込め係数Γを2.6%以下にすることにより、1.7W/A以上の微分効率が得られる。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
少なくとも2つのウエル層を含む多重量子井戸構造の活性層を有する窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、 前記少なくとも2つのウエル層は少なくとも2つのInGaNウエル層を含み、発光時における素子の全導波光のうち、前記少なくとも2つのInGaNウエル層にある光の割合を示す光閉じ込め係数(%)を1.5以上、3.0以下に設定したことを特徴とする、 半導体発光素子。
IPC (1)：
H01S 5/343
FI (1)：
H01S5/343 610
F-Term (12)：
5F173AA08 ,  5F173AF03 ,  5F173AF35 ,  5F173AG12 ,  5F173AG20 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AP76 ,  5F173AP82 ,  5F173AQ04 ,  5F173AR23
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (9)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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