半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：吉田茂明 , 吉竹英俊 , 有田貴弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005253412
Publication number (International publication number)：2006270028
Application date： Sep. 01, 2005
Publication date： Oct. 05, 2006
Summary：

【課題】高い微分効率を有する窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子を得る。【解決手段】それぞれが5nmの膜厚を有する2つのInGaNウエル層を有する2重量子井戸構造の活性層を有する半導体レーザにおいて、光閉じ込め係数Γは3.0%以下の領域では、しきい値電流の劣化は比較的小さく、微分効率は大幅に改善(上昇)するという特性を有している。一方、光閉じ込め係数Γが1.5%より小さくなくと、しきい値電流が大幅に増大する一方、微分効率の改善量も小さくなることがわかる。したがって、光閉じ込め係数Γの下限としては、1.5%程度が好ましく、光閉じ込め係数Γを3.0%以下にすると、微分効率は1.6W/A以上得られ、光閉じ込め係数Γを2.6%以下にすることにより、1.7W/A以上の微分効率が得られる。【選択図】図4

Claim 1：

少なくとも2つのウエル層を含む多重量子井戸構造の活性層を有する窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、前記少なくとも2つのウエル層は少なくとも2つのInGaNウエル層を含み、発光時における素子の全導波光のうち、前記少なくとも2つのInGaNウエル層にある光の割合を示す光閉じ込め係数(%)を1.5以上、3.0以下に設定したことを特徴とする、半導体発光素子。

IPC (1)：

H01S 5/343

FI (1)：

H01S5/343 610

F-Term (12)：

5F173AA08 , 5F173AF03 , 5F173AF35 , 5F173AG12 , 5F173AG20 , 5F173AH22 , 5F173AP05 , 5F173AP33 , 5F173AP76 , 5F173AP82 , 5F173AQ04 , 5F173AR23

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

窒化ガリウム系半導体発光素子及び半導体レーザ光源装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-065725 Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (11)

半導体レーザ素子及び光学式情報記録装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-404507 Applicant：シャープ株式会社
窒化ガリウム系半導体発光素子、及び半導体レーザ光源装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-052596 Applicant：シャープ株式会社
特開平2-254784

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Optical-field caluculations for lossy multiple-layer AlxGa1-x/lnxGa1-XN laser diodes

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