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J-GLOBAL ID：200903003978670576

半導体の加工方法

Inventor： 日▲高▼ 啓▲視▼
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (1)： 志賀 正武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992014350
Publication number (International publication number)：1993206088
Application date： Jan. 29, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【構成】 本発明の半導体の加工方法は、反応性ガスを用いて半導体19の表面をエッチングすることにより、半導体19に所定の形状を付与する半導体の加工方法において、半導体19のエッチングすべき面19aを前記反応性ガスに吸収されない赤外線により加熱しつつエッチングすることを特徴とする。【効果】 前記半導体のエッチングすべき面に凹凸があった場合においても、当該凸部の温度を赤外放射により上昇させることができ、エッチングすべき面を平坦化することができる。

Claim (excerpt)：

反応性ガスを用いて半導体の表面をエッチングすることにより、該半導体に所定の形状を付与する半導体の加工方法において、前記半導体のエッチングすべき面を前記反応性ガスに吸収されない赤外線により加熱しつつエッチングすることを特徴とする半導体の加工方法。