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J-GLOBAL ID:200903003979352950

半導体装置の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995269893
Publication number (International publication number):1997115903
Application date: Oct. 18, 1995
Publication date: May. 02, 1997
Summary:
【要約】【課題】ケミカル・メカニカル・ポリッシング(CMP)による層間絶縁膜平坦化にかかる時間を短縮する。【解決手段】プラズマを用いない常圧又は減圧化学気相成長によって半導体基板上に第1の絶縁膜を形成し、この第1の絶縁膜上にECRを用いたバイアスプラズマCVDによって形成された第2の絶縁膜を形成し、その後に第2の絶縁膜をCMPによって平坦にする。
Claim (excerpt):
表面に凹凸を有する半導体基板を覆うようにプラズマを用いない常圧又は減圧化学気相成長によって第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜を覆うように電子サイクロトロン共鳴を用いたバイアスプラズマ化学気相成長によって形成された第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜をケミカルメカニカルポリッシングによって平坦化する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5):
H01L 21/316 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/31 ,  H01L 29/78
FI (6):
H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/31 C ,  H01L 29/78 301 N
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 絶縁膜の平坦化方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-237140   Applicant:川崎製鉄株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-242870   Applicant:富士通株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-257888   Applicant:ソニー株式会社
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