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J-GLOBAL ID：200903003981640467

半導体応力検出装置

Inventor： 清田 茂之
Applicant, Patent owner： 日産自動車株式会社
Agent (1)： 中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991251505
Publication number (International publication number)：1993087649
Application date： Sep. 30, 1991
Publication date： Apr. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】 温度依存性が小さく、特別な補償回路を必要としない半導体応力検出装置を提供する。【構成】 印加される応力方向に垂直に形成されたp型多結晶Siピエゾ抵抗41、42と、応力方向に平行のp型多結晶Siピエゾ抵抗51、52とにおける感度の温度依存性が逆符号になる特性を利用したものであり、両抵抗を直列に接続することによって両抵抗の感度の温度依存性が相殺されて小さくなるようにし、かつ、上記の直列接続された抵抗領域を2個用い、それぞれの抵抗領域を一対の対辺としてハーフブリッジ回路を構成した。

Claim (excerpt)：

外部物理量の印加に応じて応力が発生する構造部上に、当該抵抗に流れる電流の方向が印加される応力に平行方向となるように配設された第1のp型多結晶Siピエゾ抵抗と、当該抵抗に流れる電流の方向が印加される応力に垂直方向となるように配設された第2のp型多結晶Siピエゾ抵抗とを形成し、上記第1と第2のp型多結晶Siピエゾ抵抗を直列に接続した抵抗領域を2個用い、それぞれの抵抗領域を一対の対辺としてブリッジ回路を構成したことを特徴とする半導体応力検出装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-137532
  
• 特開昭62-274229
  
• 特開平3-162641