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J-GLOBAL ID：200903003984189219

不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 浅利 誠一郎
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮園 純一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991311965
Publication number (International publication number)：1993128016
Application date： Oct. 30, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 電源のダウンに対してもデータの書き込み,読み出しを確実に行なうことができるEEPROMを提供する。【構成】 電源ダウン時に電源検出回路18によりセットされる判定用レジスタ31と、アドレスバックアップ用の専用EEPROMセル30を設ける。これにより、EEPROMが書き込み中もしくは読み出し中に電源のダウンによりその動作が途中で終わっても、判定用レジスタ31及び専用EEPROMセル30の内容によってコントローラ側から再度の書き込み,読み出しができる。

Claim (excerpt)：

電源電圧を検出する電源検出回路を備え、電源電圧が所定値以下に降下した時は書き込み及び読み出しを中止するようにした電気的に書き換え可能な不揮発性半導体記憶装置において、電源電圧が所定値以下に降下した時に上記電源検出回路の検出出力によってセットされる判定用レジスタと、書き込み及び読み出しを行なうアドレスを記憶するアドレスバックアップ用記憶領域とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2)：

G06F 12/16 340 ,  G11C 16/06