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J-GLOBAL ID:200903004003489435

半導体加速度センサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 石田 長七 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994025678
Publication number (International publication number):1995234243
Application date: Feb. 23, 1994
Publication date: Sep. 05, 1995
Summary:
【要約】【目的】撓み部に生じる反りを低減して正確な加速度検出を可能とする半導体加速度センサを提供する。【構成】その一端部において重り部2と連結される1対の撓み部3の表面に4つのピエゾ抵抗R1 〜R4 が形成してある。ピエゾ抵抗R1 〜R4 はセンサ部Aの上方から見て短冊型に1対の撓み部3にそれぞれ2つずつ形成してある。さらに、撓み部3を含めたセンサ部Aの表面にはパッシベーション膜5が形成されている。ここで、支持部4から重り部2に至るまでの撓み部3の長さ寸法Lと、撓み部3の長さ方向に沿って形成されたピエゾ抵抗R2 ,R4 の長さ寸法とを略同一としてある。したがって、パッシベーション膜5と撓み部3との熱膨張率の違いに起因して生じる撓み部3の反りを、撓み部3の長さ寸法を短くすることにより低減できるのである。
Claim (excerpt):
重り部と、少なくとも一部で重り部と連結される薄肉の撓み部と、撓み部によって重り部を揺動自在に支持する支持部と、撓み部の表面に形成され撓み部の撓み量に応じて抵抗値が変化するピエゾ抵抗とを半導体基板を加工して形成したセンサ部を備え、センサ部の表面にパッシベーション膜を形成して成る半導体加速度センサにおいて、支持部から重り部に至るまでの撓み部の長さ寸法と、撓み部の長さ方向におけるピエゾ抵抗の最長部の長さ寸法とを略同一としたことをことを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2):
G01P 15/12 ,  H01L 29/84

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