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J-GLOBAL ID:200903004006469150

表示素子およびその形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中村 純之助
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991295617
Publication number (International publication number):1993134266
Application date: Nov. 12, 1991
Publication date: May. 28, 1993
Summary:
【要約】【目的】光の利用効率の高い高輝度な表示素子を簡便に形成する。【構成】2つの透明導電膜101、102間に、光あるいは熱硬化型高分子材料からなる高分子材料層103と、屈折率が電界によって可変なツイストネマティック液晶からなる液晶層104とを積層する。
Claim (excerpt):
屈折率の異なる複数の薄層が積層し、上記薄層のうち単数あるいは複数の薄膜の屈折率が電界により変化する表示素子において、上記屈折率の異なる複数の薄層として液晶層と高分子材料層とを用いたことを特徴とする表示素子。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 特開平4-355424
  • 特開平4-186218
  • 液晶電気光学装置およびその作製方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-290725   Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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