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J-GLOBAL ID:200903004007027061

アクチュエータ装置、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 栗原 浩之 ,  村中 克年
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006153922
Publication number (International publication number):2007043095
Application date: Jun. 01, 2006
Publication date: Feb. 15, 2007
Summary:
【課題】分極方向の揺らぎを抑えた、歪みのない状態の結晶からなる圧電体層を具備するアクチュエータ装置及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置を提供する。【解決手段】シリコン単結晶基板上に設けられた二酸化シリコンと、二酸化シリコン上に設けられた少なくとも一層のバッファ層56と、該バッファ層56上に設けられた面方位(100)のランタンニッケルオキサイドからなる下地層57とを有し、さらに、この下地層上に設けられた面方位(100)の白金からなる下電極60と、該下電極60上にエピタキシャル成長により形成され結晶系が正方晶系、単斜晶系、及び菱面体晶系からなる群から選択される少なくとも一種の結晶系が他の結晶系に優先している結晶系を有すると共に面方位が(100)配向の強誘電体層からなる圧電体層70と、該圧電体層70上に設けられた上電極80とからなる圧電素子300を具備する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
シリコン(Si)単結晶基板上に設けられた二酸化シリコン(SiO2)からなる層と、二酸化シリコン(SiO2)からなる層上に設けられた少なくとも一層のバッファ層と、該バッファ層上に設けられた面方位(100)のランタンニッケルオキサイド(LNO)からなる下地層とを有し、さらに、この下地層上に設けられた面方位(100)の白金(Pt)からなる下電極と、該下電極上にエピタキシャル成長により形成され正方晶系、単斜晶系、及び菱面体晶系からなる群から選択される少なくとも一種の結晶系が他の結晶系に優先している結晶系を有すると共に面方位が(100)配向の強誘電体層からなる圧電体層と、該圧電体層上に設けられた上電極とからなる圧電素子を具備することを特徴とするアクチュエータ装置。
IPC (7):
H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/18 ,  H02N 2/00 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/16
FI (11):
H01L41/08 C ,  H01L41/08 L ,  H01L41/08 J ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101J ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/18 101C ,  H02N2/00 B ,  B41J3/04 103A ,  B41J3/04 103H
F-Term (9):
2C057AF55 ,  2C057AF65 ,  2C057AG12 ,  2C057AG44 ,  2C057AP14 ,  2C057AP52 ,  2C057AP58 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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