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J-GLOBAL ID:200903004007280298

炭素ナノチューブ、その製造方法及び製造装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (8): 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003295658
Publication number (International publication number):2004175655
Application date: Aug. 19, 2003
Publication date: Jun. 24, 2004
Summary:
【課題】 同位体をドープした炭素ナノチューブを提供することである。【解決手段】 本発明は同位体をドープした炭素ナノチューブ、その製造方法及びその製造装置を提供する。本発明の炭素ナノチューブは単同位体からなる第一炭素ナノチューブ片及び第二炭素ナノチューブ片を含み、且つ該第一炭素ナノチューブ片及び第二炭素ナノチューブ片は該炭素ナノチューブのより長い方向に沿って交替に配列される。本発明の製造方法の進歩は反応中に予定の濃度及び順序によって異なった炭素同位体を反応させるものである。また、本発明は前記製造方法に用いられた製造装置が公開される。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
炭素ナノチューブであって、 単同位体からなる第一炭素ナノチューブ片及び第二炭素ナノチューブ片を含み、且つ該第一炭素ナノチューブ片及び第二炭素ナノチューブ片は該炭素ナノチューブのより長い方向に沿って交替に配列することを特徴とする炭素ナノチューブ。
IPC (3):
C01B31/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00
FI (3):
C01B31/02 101F ,  B82B1/00 ,  B82B3/00
F-Term (15):
4G146AA11 ,  4G146AB01 ,  4G146AC02A ,  4G146AC02B ,  4G146BA12 ,  4G146BA38 ,  4G146BA48 ,  4G146BC15 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC26 ,  4G146BC34A ,  4G146BC34B ,  4G146BC44 ,  4G146DA03
Article cited by the Patent:
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