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J-GLOBAL ID：200903004010789886

高性能He-3中性子計数装置

Inventor： 千坂 治雄 ,  日向野 雄二
Applicant, Patent owner： 千坂 治雄 ,  東洋タングステン株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000237735
Publication number (International publication number)：2002014171
Application date： Jun. 30, 2000
Publication date： Jan. 18, 2002
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は、物質内部の水分量(含水素量)および欠陥等を中性子線により被測定物の外部から非破壊で迅速、確実に検知するため、散乱又は透過した中性子線を高性能で計測するHe-3中性子計数装置の開発にある。【構成】中性子線により物質内部の水分量および欠陥等を被測定物の外部から非破壊でしかも高精度で測るためには、計数管を被測定物に密着する形状とし幾何学的効率を高めることと、計数管内で中性子線により生成した電荷の収集を良くし、計数効率を高めることにある。そこで、本発明は計数管内に複数の陽極電極を設け、陽極の電極間にメッシュ状のグリッド電極を配置した高性能He-3中性子計測装置である。

Claim (excerpt)：

He-3中性子計数管において、中性子線とHe-3ガスが核反応をし、陽子線を発生する。この陽子線がHe-3ガスをイオン化するが、高電圧をかけて生成イオンを収集するとき、計数管の形状および検出容積により高電圧が均一にかかりにくい。そこで、陽極電極を複数配置することにより、比例計数領域の検出器特性(プラトー特性、エネルギー分解能、検出効率)を改善したHe-3中性子計数管とする。

IPC (2)：

G01T 3/00 ,  G01T 1/18

FI (2)：

G01T 3/00 C ,  G01T 1/18 A

F-Term (4)：

2G088FF09 ,  2G088GG05 ,  2G088JJ31 ,  2G088LL15