Pat
J-GLOBAL ID：200903004019424872
III-V族化合物半導体薄膜選択成長形成用マスク及びそれを用いたIII-V族化合物半導体薄膜選択成長形成法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
田中 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992097087
Publication number (International publication number)：1993275356
Application date： Mar. 24, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体基板上に、III-V族化合物半導体薄膜を、III-V族化合物半導体薄膜選択成長形成用マスクを用いて選択成長させて形成させるにつき、III-V族化合物半導体薄膜選択成長形成用マスクを、半導体基板の表面に損傷を与えることなく形成し、それによってIII-V族化合物半導体薄膜を良好に形成し、また、III-V族化合物半導体薄膜を、側面荒れをほとんど有しないものとして容易に形成する。【構成】 半導体基板上に、III-V族化合物半導体薄膜を、III-V族化合物半導体薄膜選択成長形成用マスクを用いて選択成長させて形成されるにつき、III-V族化合物半導体薄膜選択成長形成用マスクとして、表面に自然酸化膜が形成されているAlを含むIII-V族化合物半導体薄膜を用いる。
Claim (excerpt)：
表面に自然酸化膜が形成されているAlを含むIII-V族化合物半導体薄膜でなることを特徴とするIII-V族化合物半導体薄膜選択成長形成用マスク。
IPC (3)：
H01L 21/205
, G02F 1/025
, H01S 3/18
Cited by examiner (7)
Show all
Return to Previous Page
