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J-GLOBAL ID：200903004019457240

マイクロ波発生装置およびマイクロ波処理装置

Inventor： 信江 等隆 ,  三原 誠 ,  安井 健治
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006213544
Publication number (International publication number)：2008041398
Application date： Aug. 04, 2006
Publication date： Feb. 21, 2008
Summary：

【課題】各種機器に安全に搭載することができる半導体素子を用いたマイクロ波発生装置を提供することである。【解決手段】マイクロ波増幅部400は、放熱フィン401、回路基板402およびカバー部材を含む。回路基板402上には、3つの増幅器403,404,405が形成されている。回路基板402は、カバー部材内において放熱フィン401上に設けられる。増幅器404,405の出力端子は、線路L6,L7を介して同軸ケーブルCC2,CC3の一端に接続されている。同軸ケーブルCC2,CC3の他端は、アンテナA1,A2に接続されている。同軸ケーブルCC2,CC3と線路L6,L7とは、絶縁連結部MCにおいて接続されている。同軸ケーブルCC2,CC3の外部導体と、放熱フィン401およびカバー部材とは電気的に絶縁されている。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

マイクロ波を発生するマイクロ波発生装置であって、 マイクロ波を発生する発振器と、 前記発振器により発生されたマイクロ波を増幅する増幅器と、 前記増幅器により増幅されたマイクロ波を放射する放射部とを備え、 前記増幅器は、バンドギャップが3eV以上の化合物半導体からなる半導体素子を含み、 前記増幅器は、接地電位から電気的に絶縁されていることを特徴とするマイクロ波発生装置。

IPC (3)：

H05B 6/66 ,  H05B 6/64 ,  H05B 6/76

FI (3)：

H05B6/66 C ,  H05B6/64 G ,  H05B6/76 C

F-Term (7)：

3K086AA05 ,  3K086BA07 ,  3K086EA20 ,  3K086FA08 ,  3K090AA11 ,  3K090BA03 ,  3K090JA00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

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  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-205019   Applicant：シヤープ株式会社