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J-GLOBAL ID：200903004019693652

ビスマス(Bi)系酸化物超電導薄膜の形成方法

Inventor： 荻原 光彦 ,  阿部 仁志
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991238108
Publication number (International publication number)：1993070136
Application date： Sep. 18, 1991
Publication date： Mar. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 二酸化窒素ガス(NO2 ガス)を用いた分子線エピタキシー法(MBE法)によるビスマス(Bi)系酸化物超電導薄膜の形成において、形成後のアニール処理を必要としない形成法を提供する。【構成】 分子線エピタキシー法(MBE法)により、ビスマス(Bi)系酸化物超電導薄膜の形成において、銅(Cu)の分子線強度に対して、少なくとも100倍以上の分子線強度をもつ二酸化窒素(NO2 )ガスの雰囲気中で薄膜形成を行う。

Claim (excerpt)：

分子線エピタキシー法(MBE法)により、銅(Cu)を含有するビスマス(Bi)系酸化物超電導薄膜を形成するにあたり、銅(Cu)の分子線強度に対して、少なくとも100倍以上の分子線強度をもつ二酸化窒素ガス(NO2 ガス)の雰囲気中で、かつ、前記銅(Cu)を酸化第2銅(CuO)まで酸化させる基板温度で、前記薄膜の成膜を行うことを特徴とする超電導薄膜の形成方法。

IPC (6)：

C01G 29/00 ZAA ,  C01G 1/00 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA