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J-GLOBAL ID：200903004023893275

成膜方法

Inventor： 瀧澤 裕
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997112443
Publication number (International publication number)：1998303128
Application date： Apr. 30, 1997
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：

【要約】【目的】本発明は、絶縁層上に成膜したアモルファスシリコン膜を加熱により再結晶化してポリシリコン膜を形成する成膜方法に関し、微結晶化が生じない程度の強度のレーザ光で、或いは基板が変形しない程度の温度で、再結晶化により結晶粒径を大きくする。【構成】基板61上に7B族元素及び0族元素のうち少なくともいずれかを含む第1のシリコン含有絶縁膜62を形成する工程と、第1のシリコン含有絶縁膜62上にアモルファスシリコン膜64を形成する工程と、アモルファスシリコン膜64を加熱して再結晶化させ、ポリシリコン膜64aを形成する工程とを有する。

Claim (excerpt)：

基板上に7B族元素及び0族元素のうち少なくともいずれかを含む第1のシリコン含有絶縁膜を形成する工程と、前記第1のシリコン含有絶縁膜上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、前記アモルファスシリコン膜を加熱して結晶化させ、ポリシリコン膜を形成する工程とを有することを特徴とする成膜方法。