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J-GLOBAL ID：200903004032437223
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 成示 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992039335
Publication number (International publication number)：1993235203
Application date： Feb. 26, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】 形成及び実装の容易な電磁遮蔽層を有する半導体装置を提供する。【構成】 回路用基板5上に実装された半導体装置1の表面全体に、熱硬化性の導電性樹脂6による電磁遮蔽層を形成し、同時に回路用基板5上の半導体装置1周辺に敷設された接地部分7と該電磁遮蔽層とを接触固定して該電磁遮蔽層を電気的に接地している。【効果】 電磁遮蔽層を形成する過程において糊状の導電性樹脂を半導体装置の表面に塗布して硬化させるという手法が採用出来るため、従来に比して電磁遮蔽層を容易に形成することが出来る。又、電磁遮蔽層の厚さを自由に操作することが容易であるので、電磁波に対する遮蔽効果を容易に調整することが出来る。
Claim (excerpt)：
回路用基板に実装された半導体ブロックを封入樹脂内に封入して成る半導体装置において、該半導体装置の表面に、導電性樹脂から成る電磁遮蔽層を形成すると共に、該電磁遮蔽層を電気的に接地したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 23/14
, H01L 23/28
, H05K 9/00
