Pat

J-GLOBAL ID：200903004035132750

堆積膜形成装置および堆積膜形成方法

Inventor： 矢島 孝博 ,  宍戸 健志 ,  幸田 勇蔵 ,  金井 正博
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000023081
Publication number (International publication number)：2001214277
Application date： Jan. 31, 2000
Publication date： Aug. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】 開口調整板を有する成膜装置において、成膜速度を高めるために電極-基板間距離を縮めても、良質な薄膜を堆積することにある。【解決手段】 開口調整板203と電力印加電極201の距離が電極印加電極201と基板202の距離よりも大きくなるように、電力印加電極201の端部の厚さがその端部に向けて減少している。

Claim 1：

真空室内で、電力印加電極と、該電力印加電極に対向して配置された電極となりうる基板との間の放電空間にプラズマを発生させて、真空室内に導入される原料ガスを分解し、基板上に堆積膜を形成させる堆積膜形成装置において、原料ガス吹き出し部と排気口部の両方もしくは何れか一方にプラズマを遮断する開口調整板を有し、前記電力印加電極と前記基板の最短距離より、前記電力印加電極と前記開口調整板の距離が大きくなるようにしたことを特徴とする堆積膜形成装置。

IPC (2)：

C23C 16/54 ,  H01L 21/205

FI (2)：

C23C 16/54 ,  H01L 21/205

F-Term (27)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA30 ,  4K030CA17 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030KA12 ,  4K030KA15 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AF07 ,  5F045AF10 ,  5F045BB01 ,  5F045BB15 ,  5F045CA13 ,  5F045DP22 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB02 ,  5F045EE14 ,  5F045EE20 ,  5F045EH04 ,  5F045EH13 ,  5F045EK07 ,  5F045EK13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-240627   Applicant：シャープ株式会社