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J-GLOBAL ID：200903004037276058

メッキ膜の形成方法及び形成装置

Inventor： 飯島 匡 ,  松田 哲朗
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998227111
Publication number (International publication number)：2000058487
Application date： Aug. 11, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】 無電解メッキにおいて平滑なメッキ膜を形成する。【解決手段】 無電解メッキによる成膜工程とエッチング工程とを交互に繰り返し行うことにより被処理基板25表面に所望のメッキ膜を形成する。成膜工程は無電解メッキ液32をノズル22から被処理基板表面に供給することによって行われ、エッチング工程はエッチング液31をノズル21から被処理基板表面に供給することによって行われる。

Claim (excerpt)：

無電解メッキによる成膜工程とエッチング工程とを交互に繰り返し行うことにより被処理基板表面に所望のメッキ膜を形成することを特徴とするメッキ膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/288 ,  C23C 18/31 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205

FI (5)：

H01L 21/288 Z ,  C23C 18/31 Z ,  H01L 21/306 F ,  H01L 21/306 J ,  H01L 21/88 B

F-Term (34)：

4K022AA05 ,  4K022BA01 ,  4K022BA03 ,  4K022BA08 ,  4K022BA14 ,  4K022DA01 ,  4K022DB06 ,  4K022DB17 ,  4K022DB18 ,  4K022EA04 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104DD53 ,  4M104HH13 ,  5F033AA05 ,  5F033AA12 ,  5F033AA64 ,  5F033BA11 ,  5F033BA16 ,  5F033BA17 ,  5F043AA25 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043DD14 ,  5F043DD26 ,  5F043EE02 ,  5F043EE27 ,  5F043EE33 ,  5F043FF07 ,  5F043GG04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭52-066374
  
• 特開昭63-250466
  
• 特開昭63-070925