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J-GLOBAL ID：200903004039443237

半導体装置の解析用パラメータ作成装置及び半導体装置の解析装置

Inventor： 米田 高志 ,  脇田 誠 ,  松澤 孝行
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996302125
Publication number (International publication number)：1998143553
Application date： Nov. 13, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】LSI解析用パラメータの算出時間及びデータ量を削減し、さらにパラメータ抽出精度の向上を図る。【解決手段】パラメータ算出条件発生装置35はトランジスタレベルの回路情報(ネットリスト)40を入力し、入力変化真理値表41及びパラメータ算出条件42を作成する。スタティック電流算出装置37は回路情報40及びパラメータ算出条件42を入力し、抵抗置換回路44を算出する。回路シミュレーション装置36は回路情報40及びパラメータ算出条件42を入力して回路シミュレーションを実施し、シミュレーション結果43を得る。解析用パラメータ抽出装置38はシミュレーション結果43を入力として種々のパラメータを抽出し、解析用パラメータ20として出力する。

Claim (excerpt)：

回路情報をパラメータ算出条件発生装置に入力し、回路の内部ノードも含む端子の信号値の組み合わせよりなる入力変化真理値表及びパラメータ算出条件を出力し、回路情報及びパラメータ算出条件を回路シミュレーション装置に入力し、回路シミュレーションを実施してシミュレーション結果を得、シミュレーション結果及び入力変化真理値表を解析用パラメータ抽出装置に入力し、解析用パラメータを抽出するようにした半導体装置の解析用パラメータ作成装置。

IPC (4)：

G06F 17/50 ,  G01R 31/28 ,  G06F 17/00 ,  H01L 21/82

FI (4)：

G06F 15/60 664 K ,  G01R 31/28 F ,  G06F 15/20 D ,  H01L 21/82 C