Pat

J-GLOBAL ID：200903004044863724

レジストパターン形成方法

Inventor： 穴田 浩二
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998359765
Publication number (International publication number)：2000182940
Application date： Dec. 17, 1998
Publication date： Jun. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 レジスト膜の断面形状を垂直に近い形状に保ち、耐熱性も十分に有することが可能なレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 基板上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜を露光した後現像するレジストパターン形成方法において、現像後のレジスト膜に100°C以上200°C以下の温度をかけながら紫外線を照射する。

Claim (excerpt)：

基板上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜を露光した後現像するレジストパターン形成方法において、現像後のレジスト膜に加熱しながら紫外線を照射することを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/40 501

FI (2)：

H01L 21/30 571 ,  G03F 7/40 501

F-Term (5)：

2H096AA25 ,  2H096GA02 ,  2H096HA01 ,  2H096HA03 ,  5F046LA18