Pat
J-GLOBAL ID：200903004049180773
発光素子
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993232366
Publication number (International publication number)：1995066503
Application date： Aug. 25, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：
【要約】【目的】p型コンタクト層とp型電極との間に良好なオーム性接触を得ることはでき、しかも、10V以下の動作電圧を達成し得る発光素子を提供する。【構成】発光素子は、化合物半導体層24上に形成されたp型コンタクト層30を有し、このp型コンタクト層30は、第1のコンタクト層32、第2のコンタクト層36、並びに第1及び第2のコンタクト層の間に形成された複数の障壁層と複数の量子井戸層から構成された多重量子井戸構造34から成り、障壁層の厚さは0.3乃至1.7nmであり、量子井戸層の数は3乃至6である。
Claim (excerpt)：
化合物半導体層上に形成されたp型コンタクト層を有し、該p型コンタクト層は、第1のコンタクト層、第2のコンタクト層、並びに第1及び第2のコンタクト層の間に形成された複数の障壁層と複数の量子井戸層から構成された多重量子井戸構造から成り、該障壁層の厚さは0.3乃至1.7nmであり、量子井戸層の数は3乃至6であることを特徴とする発光素子。
IPC (2)：
Return to Previous Page
