Pat
J-GLOBAL ID：200903004055368857
帯電防止膜の形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
羽鳥 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992295985
Publication number (International publication number)：1994145652
Application date： Nov. 05, 1992
Publication date： May. 27, 1994
Summary：
【要約】【目的】 湿度依存性が少なく、帯電防止効果の持続性に優れ且つ導電性及び透明性に優れた帯電防止膜の形成方法を提供すること。【構成】 本発明は、π共役系を形成し得る環式炭化水素構造を少なくとも1以上含む重合性部分、或いは環式炭化水素構造を有し且つπ共役結合を形成している分子群(I)と親水基に化学結合する結合基(II)とを有する化合物(III)を、親水基を有する基板面に上記結合基(II)を介して結合させ、上記基板面にπ共役系ポリマー薄膜層を形成させることを特徴とする帯電防止膜の形成方法である。
Claim (excerpt)：
π共役系を形成し得る環式炭化水素構造を少なくとも1以上含む重合性部分、或いは環式炭化水素構造を有し且つπ共役結合を形成している分子群(I)と親水基に化学結合する結合基(II)とを有する化合物(III)を、親水基を有する基板面に上記結合基(II)を介して結合させ、上記基板面にπ共役系ポリマー薄膜層を形成させることを特徴とする帯電防止膜の形成方法。
IPC (2)：
C09K 3/16 114
, H05F 1/02
