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J-GLOBAL ID：200903004060209546
プラズマ処理装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993329884
Publication number (International publication number)：1995153822
Application date： Nov. 30, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：
【要約】【目的】 プラズマ照射中のウエハ表面とウエハ載置電極との間の電位差をなくし、ゲート絶縁膜の耐圧劣化を防ぐ。【構成】 クランプリング21を導電性の材料を主体に構成し、クランプリング21の電位とウエハ3を載置する電極の電位とを同一にするものである。より具体的には、クランプリング21の芯材をアルミ23とするとともに、芯材の表面をアルミナ25とし、少なくともウエハ載置電極1との接触部分21a、及びウエハ表面との接触部分21bは、アルミ23を露出して、電気的に接触させたものである。
Claim (excerpt)：
ウエハ固定のためのクランプリングを導電性の材料を主体に構成し、該クランプリングの電位とウエハを載置する電極の電位とを同一にしたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2)：
H01L 21/68
, H01L 21/3065
