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J-GLOBAL ID：200903004061681451

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
桑沢 和伸

About 桑沢 和伸


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 上柳 雅誉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000306142
Publication number (International publication number)：2002118251
Application date： Oct. 05, 2000
Publication date： Apr. 19, 2002
Summary：
【要約】【課題】 パンチスルーの発生を抑制し且つジャンクションの突き抜けによるリークを抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、シリコン基板1上に形成されたゲート酸化膜2と、このゲート酸化膜上に形成されたゲート電極3と、シリコン基板1のソース/ドレイン領域に形成された第1の不純物拡散層7,8と、シリコン基板1のソース/ドレイン領域より深い領域に形成された、第1の不純物拡散層より低濃度の第2の不純物拡散層11と、ゲート電極3及び第1の不純物拡散層7,8それぞれの上に形成されたTiシリサイド13と、を具備するものである。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、半導体基板のソース/ドレイン領域に形成された第1の不純物拡散層と、半導体基板のソース/ドレイン領域より深い領域に形成された、第1の不純物拡散層より低濃度の第2の不純物拡散層と、ゲート電極及び第1の不純物拡散層それぞれの上に形成されたシリサイドと、を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336
FI (3)：
H01L 21/28 301 T ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 P
F-Term (23)：
4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104FF31 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH04 ,  5F040DA14 ,  5F040DA18 ,  5F040EC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F040EF02 ,  5F040EF11 ,  5F040EF14 ,  5F040EH02 ,  5F040FA07 ,  5F040FB02 ,  5F040FC11 ,  5F040FC19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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