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J-GLOBAL ID：200903004064500938

薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 国井 正文 ,  下垣内 康
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 鈴木 晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000149575
Publication number (International publication number)：2001332734
Application date： May. 22, 2000
Publication date： Nov. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】 UV光源、炉アニールなどの方法によらずに、半導体薄膜の脱水素化を実現する方法を提供する。【解決手段】 薄膜トランジスタは、半導体薄膜と、その一面に接して形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して半導体薄膜に重ねられたゲート電極とを含む積層構成を有し、絶縁基板0上に形成される。その際、水素を含有し且つ非晶質性または比較的粒径の小さな多結晶性のシリコンからなる半導体薄膜を成膜する成膜工程と、成膜された半導体薄膜を加熱して含有されていた水素を少なくとも一部脱離させる脱水素化工程と、水素を少なくとも一部除去した状態で半導体薄膜を処理して比較的粒径の大きな多結晶性のシリコンに転換する結晶化工程とを行なう。その時、脱水素化工程は、絶縁基板0の取入口76から取出口77に向かう進行方向に沿って配された熱源71〜74の加熱温度を低温から高温を経て低温に変化させるよう設定した状態で、絶縁基板0を所定速度で進行方向に沿って熱源による加熱を受けながら移送する。

Claim (excerpt)：

半導体薄膜と、その一面に接して形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜を介して該半導体薄膜に重ねられたゲート電極とを含む積層構成を有し、絶縁基板上に形成される薄膜トランジスタの製造方法であって、水素を含有し且つ非晶質性または比較的粒径の小さな多結晶性のシリコンからなる半導体薄膜を成膜する成膜工程と、成膜された半導体薄膜を加熱して含有されていた水素を少なくとも一部脱離させる脱水素化工程と、水素を少なくとも一部除去した状態で該半導体薄膜を処理して比較的粒径の大きな多結晶性のシリコンに転換する結晶化工程とを含み、前記脱水素化工程は、絶縁基板の取入口から取出口に向かう進行方向に沿って配された熱源の加熱温度を低温から高温を経て低温に変化させるよう設定した状態で、絶縁基板を所定速度で進行方向に沿って熱源による加熱を受けながら移送することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (7)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/26

FI (6)：

G09F 9/00 338 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/26 G

F-Term (89)：

2H092JA26 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092MA08 ,  2H092MA27 ,  2H092MA28 ,  2H092MA29 ,  2H092MA35 ,  2H092NA27 ,  5C094AA14 ,  5C094AA41 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094AA46 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094EA10 ,  5C094HA08 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA24 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA15 ,  5F052JA01 ,  5F052JA04 ,  5F110AA26 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG45 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN14 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ23 ,  5G435AA17 ,  5G435AA19 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435KK05 ,  5G435KK09 ,  5G435KK10 ,  5G435LL00