Pat
J-GLOBAL ID：200903004065049164
エピタキシャルウェハ及び電界効果トランジスタ
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995074781
Publication number (International publication number)：1996274025
Application date： Mar. 31, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：
【要約】【目的】臨界膜厚以下のInGaAs層で活性層を形成しても、十分な電流を得ることができるようにする。【構成】エピタキシャルウェハは、半絶縁性GaAs基板5上に、アンドープAlGaAs層4およびアンドープGaAs層3を介してn型の活性層6を有する。この活性層6を非常に薄いn型InGaAs層2とn型GaAs層1とを交互に形成した多層構造で構成する。n型InGaAs層2およびn型GaAs層1の厚さtは、臨界膜厚t<SB>0 </SB>以下、すなわちt≦t<SB>0 </SB>=x<SP>-1.72 </SP>-2.48nm(但し、x(0<x≦1)はInGaAsのIn組成比)とする。これによりInGaAs層2の実効厚さを厚くできる。
Claim (excerpt)：
半絶縁性GaAs基板上にn型の活性層を有するエピタキシャルウェハにおいて、前記活性層に、n型InGaAs層とn型GaAs層またはn型AlGaAs層とを交互に形成した多層構造が含まれ、かつ前記n型InGaAs層、およびn型GaAs層またはn型AlGaAs層の各層の厚さtをt≦x<SP>-1.72 </SP>-2.48nm(但し、x(0<x≦1)はInGaAsのIn組成比)としたことを特徴とするエピタキシャルウェハ。
IPC (5)：
H01L 21/20
, H01L 27/12
, H01L 29/872
, H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 21/20
, H01L 27/12 G
, H01L 29/48 F
, H01L 29/48 H
, H01L 29/48 M
, H01L 29/80 F
