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J-GLOBAL ID：200903004075467673
イオンプレーティングによる複合薄膜の形成方法及び複合薄膜形成用イオンプレーティング装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
村田 幸雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995108933
Publication number (International publication number)：1996269697
Application date： Mar. 29, 1995
Publication date： Oct. 15, 1996
Summary：
【要約】【目的】 一つのルツボにより複合薄膜の形成を可能とするイオンプレーティングによる複合薄膜の形成方法及び装置を提供する。【構成】 真空チャンバー内に配置された一つのルツボ中に金属合金又は複数種の金属混合物を収容し、次いで同ルツボ中の金属合金又は複数種の金属混合物を溶融して、それら金属の混合蒸気を発生させ、基板上に複合薄膜を形成させる。同時に反応ガスを真空チャンバー内に導入して、金属混合蒸気と反応ガスとの生成物よりなる複合薄膜を基板上に形成させてもよい。真空チャンバー内の基板近傍のプラズマ中に存在する金属成分・組成比、雰囲気ガス成分・組成比等を監視・制御しつつ、基板上に複合薄膜を形成させることが好ましい。
Claim (excerpt)：
真空チャンバー内に配置された一つのルツボ中に金属合金又は複数種の金属混合物を収容し、次いで同ルツボ中の金属合金又は複数種の金属混合物を溶融して、それら金属の混合蒸気を発生させ、その金属混合蒸気の固化生成物を基板上に形成させることを特徴とするイオンプレーティングによる複合薄膜の形成方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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