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J-GLOBAL ID：200903004078381133

薄膜成長方法及び減圧CVD装置

Inventor： 山口 雄二
Applicant, Patent owner： 関西日本電気株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994321906
Publication number (International publication number)：1996176829
Application date： Dec. 26, 1994
Publication date： Jul. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】 減圧CVDにおけるパーティクルの基板への付着を低減する。【構成】 減圧CVD装置の反応室1とガストラップ6間の排気管5aを加熱する。例えば、窒化シリコン膜を成長する場合、アンモニアガスとジクロルシランガスの反応で行なうが、副産物として塩化アンモニウムが生成されるが、この昇華温度337以上に加熱する。【効果】 塩化アンモニウムの様な成生物がガストラップ迄固化しないのでパーティクル発生源が無くなる。

Claim (excerpt)：

反応室をガストラップを介して真空ポンプで排気しつつ成膜する薄膜成長方法において、前記反応室と前記ガストラップとの間の排気管を排気ガス成分の固化温度以上に加熱することを特徴とする薄膜成長方法。

IPC (3)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/31