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J-GLOBAL ID：200903004082251341

紫外透明導電膜とその製造方法

Inventor： 折田 政寛 ,  太田 裕道 ,  平野 正浩 ,  細野 秀雄
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団 ,  太田 裕道 ,  折田 政寛
Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001182643
Publication number (International publication number)：2002093243
Application date： Jun. 15, 2001
Publication date： Mar. 29, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 400nm付近の青色光や、より短波長の紫外線を十分に透過させることができ、紫外発光デバイス用透明電極、紫外太陽光発電用透明電極、生体材料分析用透明電極、紫外レーザー加工用帯電防止膜等として有用な紫外透明用電膜を提供する。【解決手段】 Ga2O3結晶結晶からなり、波長240nmから800nmまたは波長240nmから400nmの範囲において透明であり、酸素欠陥またはドーパント元素により電気伝導性を有することを特徴とする紫外透明導電膜であり、Sn、Ge、Si、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、Wの少なくともひとつの元素をドーパントとする。基板温度を600°C〜1500°C、酸素分圧を0〜1Paとして、パルス・レーザー蒸着法、スパッタリング法、CVD法、MBE法のいずれかの方法を用いて製造する。

Claim (excerpt)：

Ga2O3結晶からなり、波長240nmから800nmの範囲において透明であり、酸素欠陥またはドーパント元素により電気伝導性を有することを特徴とする紫外透明導電膜。

IPC (5)：

H01B 5/14 ,  C23C 14/08 ,  C23C 16/40 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 31/04

FI (5)：

H01B 5/14 A ,  C23C 14/08 J ,  C23C 16/40 ,  H01B 13/00 503 B ,  H01L 31/04 M

F-Term (24)：

4K029BA43 ,  4K029BC07 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA02 ,  4K029DB20 ,  4K029DC05 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K030BA08 ,  4K030BA42 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA01 ,  5F051CB14 ,  5F051FA02 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC09 ,  5G323BA02 ,  5G323BA04 ,  5G323BB03 ,  5G323BB04 ,  5G323BB05

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Synthesis and control of conductivity of ultraviolet transmitting Ga2O3 single frystals