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J-GLOBAL ID：200903004085126793

半導体モジュール及び放熱用絶縁板

Inventor： 川畑 圭司 ,  小阪田 明義 ,  中野 澄夫
Applicant, Patent owner： 株式会社住友金属エレクトロデバイス
Agent (1)： 加古 宗男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999064348
Publication number (International publication number)：2000269392
Application date： Mar. 11, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体モジュールの放熱構造の部品点数削減、低コスト化を実現する。【解決手段】 セラミック基板22をアルミナ等により形成し、その両面にW又はMoの厚膜メタライズ層23,24を同時焼成により形成する。セラミック基板22の上面のメタライズ層23には、チップ搭載用のCu板25(又はMo板)をAgろう材26により接合し、このCu板25(又はMo板)上に半導体チップ27を高温半田28により搭載する。セラミック基板22の下面のメタライズ層24には、ヒートシンク29をAgろう材30により接合する。このヒートシンク29は、熱膨張率がセラミック基板22(アルミナ等)に近い合金、例えばCu-Mo、Cu-W、Moのいずれかにより形成されている。

Claim (excerpt)：

ヒートシンク上にセラミック基板を介してチップ搭載用の金属板を設け、この金属板上に半導体チップを搭載した半導体モジュールであって、前記セラミック基板の両面にメタライズ層を形成し、上面のメタライズ層と前記チップ搭載用の金属板との間及び下面のメタライズ層と前記ヒートシンクとの間をそれぞれろう付けにより接合したことを特徴とする半導体モジュール。

IPC (2)：

H01L 23/373 ,  H01L 23/12

FI (2)：

H01L 23/36 M ,  H01L 23/12 J

F-Term (6)：

5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BB08 ,  5F036BC06 ,  5F036BD01 ,  5F036BD13