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J-GLOBAL ID:200903004094318760

磁気センサ装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 五十嵐 清
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994264613
Publication number (International publication number):1996105950
Application date: Oct. 04, 1994
Publication date: Apr. 23, 1996
Summary:
【要約】【目的】 小型で高分解の磁気センサ装置を提供する。【構成】 ケース7の走査通路5の一方側に永久磁石1を配置し、この永久磁石1の下面側にL形形状のヨーク10を固定し、ヨーク10のL形先端を上側壁面7aの挿通溝穴11に挿入して走査通路5に臨ませる。走査通路5の下側壁面7bの下面側には分圧回路を形成する磁気抵抗素子2a,2bを配設する。ヨーク10のL形先端面は磁気抵抗素子2 a,2b間の中央部に対向配置する。走査通路5に磁性材料で情報ビット13を形成した磁気カード8を走査し、情報ビット13が磁気抵抗素子2aと2bとその中間位置をそれぞれ通過するときの磁気変化を磁気抵抗素子2a,2bの差動出力によって検出する。
Claim (excerpt):
磁気情報が設置された被検出体の走査通路を挟んでその一方側には1個以上の磁気抵抗素子が、他方側にはヨークが配置され、ヨークの裏面側には磁気バイアスマグネットが固定配設され、ヨークの表面側からは前記走査通路の反対側の磁気抵抗素子側に向けて磁場集束端が突設されていることを特徴とする磁気センサ装置。
IPC (5):
G01R 33/09 ,  G01R 33/02 ,  G06K 7/08 ,  G07F 5/08 101 ,  G11B 5/39

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