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J-GLOBAL ID：200903004094870993

薄膜半導体装置及びその製造方法

Inventor： 原田 康樹 ,  寺田 典裕
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993154127
Publication number (International publication number)：1994342912
Application date： May. 31, 1993
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 構造的にはチャネル部が高温になるのを抑制することができ、又、その製造工程においては低温プロセスを実現できる薄膜半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 絶縁性基板1よりは熱伝導性に優れた下地層2を、後に形成されるアイランド状a-Si膜4よりも大きい範囲に形成した後、絶縁膜3を介して前記下地層2の形成エリア内にアイランド状のa-Si膜4を形成し、次いで上記アイランド状のa-Si膜4の形成範囲を含みこれよりも大きい範囲にエネルギービーム5を照射して再結晶化する。このとき、下地層が昇温度し、再結晶化がこの昇温状態にある下地層からの熱を受けながら行われ、poly-Si膜4′の大粒径化が図れる。また、完成された薄膜半導体装置は、チャネル部で発生した熱を下地層2により放熱することができる。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板とその上面にアイランド状に形成された半導体膜との間に、少なくとも上記絶縁性基板よりは熱伝導性に優れた下地層がアイランド状に形成されていることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 311 X ,  H01L 29/78 311 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-323876
  
• 特開昭62-181419
  
• 特開昭62-282430