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J-GLOBAL ID：200903004097294527

メモリカードとその制御方法

Inventor： 村上 哲也
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005285788
Publication number (International publication number)：2007094921
Application date： Sep. 30, 2005
Publication date： Apr. 12, 2007
Summary：

【課題】多値データを確実に書き込むことが困難であった。【解決手段】メモリセルは、第1ページのデータを書き込んだ後、第2ページのデータが書き込まれる。保持回路7は、第2ページのデータを書き込むとき、前記メモリセルから読み出された前記第1ページのデータを保持する。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

第1ページのデータを書き込んだ後、第2ページのデータが書き込まれるメモリセルと、 前記第2ページのデータを書き込むとき、前記メモリセルから読み出された前記第1ページのデータを保持する保持回路と を具備することを特徴とするメモリカード。

IPC (2)：

G06F 12/16 ,  G06K 17/00

FI (3)：

G06F12/16 310M ,  G06K17/00 E ,  G06F12/16 340Q

F-Term (10)：

5B018GA04 ,  5B018HA04 ,  5B018MA24 ,  5B018NA06 ,  5B018QA05 ,  5B018QA15 ,  5B018RA11 ,  5B058CA01 ,  5B058CA28 ,  5B058KA08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• フラッシュメモリを用いる記憶方法及び記憶制御プログラムを記録した記録媒体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-335171   Applicant：静岡日本電気株式会社